如何在電路中獲得S參數 - 9個方法(下)
繼續上期內容。
方法6：Tran任務+全端口
優點：時域信號，可用于時域調制等。
局限：復雜且參數多（頻域->時域->頻域）；仿真時間長且需要檢查收斂；單端口網絡激勵（非完整S矩陣）；
激勵一個端口高斯Signal：
仿真時長需要比較長，確保時域收斂，不然S參數有波動；這個和時域求解器原理一樣。
Tran任務中可勾選S參數計算，僅高斯激勵計算的S參數才有意義：
我們拿S參數任務的結果對比，可見大致相同，但不100%完全一致：
檢查時域信號的收斂狀況：
方法7：Tran任務+端口+探針
優點：更多時域分析場景，比如時域調制等；
局限：復雜且影響因素多（頻域->時域->頻域）；仿真時間長；單端口網絡激勵（非完整S矩陣）；
我們保留端口1激勵高斯信號，然后利用探針獲取局部的信號，以便計算局部的S參數。多添加一個簡單電路端口2，也有信號，用來模擬復雜的Transient電路。
這樣結果文件夾就不是FD了，而是Spectral Density了：
和上期AC一樣，探針結果只有電壓電流，沒有Signal（根號瓦）。需要手動獲取S參數，那就還有要用耦合器區分入射反射的問題。
我們將兩個Tran任務的結果一起和S參數任務結果對比，可見兩個Tran任務結果很一致，但是都和S參數差一丁點。這是因為，這兩個Tran任務用的是一個宏模型，我都沒改vector fitting的任何設置，也沒用IdEM。
放大看細節：
方法8：Tran任務+IDEM
優勢：更先進的頻域和電路轉換；檢查頻域數據的質量；
局限：更多IDEM操作和學習，
方法6和7中都可以將頻域數據的宏模型用IDEM重新擬合生成，我們以方法7中的電路為例，點擊模塊：
選擇IDEM：
IDEM 中我們當然可以檢查頻域數據的質量，可見我們的頻域數據并不完美：
因為我們的目的是要和S參數任務結果一致，并不是研究該頻域數據質量和保證宏模型的物理性，所以這類我們就用高階高精度擬合，不用強制無源：
導出宏模型進入電路（Design Studio）：
還是Tran任務和手動計算S參數，與默認built-in宏建模相比，IdEM擬合的結果更加接近原始Spara任務結果：（但這不能說明原結果是對的，可能強制無源的模型才是質量更好一些）
當然仍有一點點差距，我們可以嘗試增加時域時間提高收斂，或者再提高IdEM擬合精度等等。這些我們就不繼續看了，總之，頻域轉時域再轉頻域不是一鍵容易的事，但是仍是一種計算S參數的方法。
方法9: Sweep任務+頻譜線任務+電壓源+探針+耦合器
優點：純頻域分析；可考慮諧波、調制等；探針獲取局部S參數；無端口；
局限：操作較多；掃頻計算較慢；
最后介紹一個特殊方法，掃頻譜獲得S參數。先定義頻點參數，初始值不為零：
需要AC電壓源和探針：
添加頻譜線任務，諧波數量根據調制需求：
運行一次得到結果，添加后處理提取該頻點的探針結果（幅值而已）：
三個探針結果：
然后添加參數掃描，將頻譜任務連帶后處理都拖入其中：
運行參數掃描，得到眾多結果后，進入后處理PP1，計算S11和S21：
如果想重新掃描，可以將S11和S21這兩個關掉（默認On（parametric）是用于掃參計算）。
這樣就得到1D結果：S參數線性幅值。如果想和S參數任務的1DC結果相比，還需要提取1DC的幅值；如果比dB幅值或相位，就相應修改S11和S21的后處理計算式吧。
小結：
方法6：Tran任務+全端口
優點：時域信號，可用于時域調制等。
局限：復雜且參數多（頻域->時域->頻域）；仿真時間較長；需要檢查收斂；全端口網絡激勵（完整S矩陣）；
方法7：Tran任務+端口+探針
優點：更多時域分析場景，比如時域調制等；
局限：復雜且影響因素多（頻域->時域->頻域）；仿真時間較長；需要檢查收斂；單端口網絡激勵（非完整S矩陣）；
方法8：Tran任務+IDEM
優勢：更多時域分析場景，比如時域調制等；更先進的頻域和電路轉換；檢查頻域數據的質量；
局限：更多IDEM操作和學習；復雜且影響因素多（頻域->時域->頻域）；仿真時間較長；需要檢查收斂；單端口網絡激勵（非完整S矩陣）；
方法9: Sweep任務+頻譜線任務+電壓源+探針+耦合器
優點：純頻域分析；可考慮諧波、調制等；探針獲取局部S參數；無端口；
局限：操作較多；掃頻計算時間更長；不可計算DC。
