CST基于Es、RLC求解器計(jì)算平板電容參數(shù)

1、使用Es求解器計(jì)算平板電容的電容矩陣

首先，我們需要?jiǎng)?chuàng)建一個(gè)Capacitive Sensors的工程模板，選擇Es求解器，如下圖：

用PEC材料創(chuàng)建電容器結(jié)構(gòu)，使用“Electric Potential”功能為電容器的兩極定義電勢(shì)，其中紅色平面電勢(shì)為1V，藍(lán)色平面電勢(shì)為0V。

保持工程模板默認(rèn)的邊界條件和背景距離，打開(kāi)Es求解器設(shè)置窗口，勾選上“Calculate capacitance matrix”復(fù)選框，直接運(yùn)行仿真。

仿真完成后，可以在1D Results中查看電容矩陣結(jié)果。

2、使用RLC求解器計(jì)算平板電容的電容矩陣

在后處理功能欄中刪除Es求解器計(jì)算的結(jié)果，將求解器切換為RLC求解器。

由于RLC Node需要添加在Normal類(lèi)型的導(dǎo)體材料上，將PEC金屬板的材料修改為新建的normal材料，如下圖;

使用RLC Node 和RLC ground功能定義電容板的表面。

打開(kāi)RLC求解器設(shè)置窗口，刪除Node Pair,勾選“Calculate partial capacitances”復(fù)選框，運(yùn)行仿真。

仿真完成后，可以在1D Results中查看電容矩陣寬頻結(jié)果。