CST自帶案例：光頻的傳輸線的反射率，透射率，吸收率仿真
這一期我們一起看一下CST自帶案例之一，光頻的傳輸線。這個模型是全參數化模型，比較簡單，用戶也可以自己導入GDSII格式的結構，另外三個搜到的模型也是類似應用，都是光子集成電路PIC的基本組成部分。
Step 1. ComponentLibrary 中搜SOI，然后選StraightSection模型。
先看結構和材料。中心核心傳輸線，材料為硅，Silicon (optical IR)，適用于紅外線，來自材料拓展包Materials1.0, 沒有的用戶可以去達索系統的 Support 網站搜“CST Materials Library Extension” 下載。
下基質和上覆層均為二氧化硅，Silicon Dioxide (optical)，同樣源于材料拓展包。硅的介電常數比二氧化硅高很多，用戶可以比較其epsilon色散曲線的高低。這也就直接導致光波被限制在硅核心中傳播，也就是光波導。
這里多查看一下硅材料的色散，可以看到目前擬合的仿真頻段考慮色散。材料色散不是一定需要考慮的，因為對光脈沖傳播的影響通常較小。但是求解器支持寬頻的色散材料和波導的色散特性是很重要的。
再看邊界和求解器，邊界全是open，Y和Z 方向背景各延伸一點參數化的距離，X方向端口和結構緊貼邊界。XZ中心平面為電平面對稱。
仿真波長范圍是1.5-1.6um，適用于光通信的C-band （1530nm – 1565nm）。由于結構尺寸為5um長，硅又是高介電，此結構為電大尺寸，求解器推薦時域T-solver，當然F-solver也可。
由于波導端口看到硅和二氧化硅兩種材料，屬于非QTEM波導，有色散屬性，T-solver的Specials推薦用Generalized (mode tracking) 的模追蹤來處理端口。
端口為默認波導端口, 激勵模式為1. 當然可以增加激勵模式，觀察端口的色散。（色散的具體觀察方法，我們另外寫文章說明）
Step 2. 開始仿真
然后直接開始仿真，由于有一個電場監視器定義在波長1550nm，下面圖即為電場傳播結果，結果是abs，所以不到10個波長。
Step 3. 后處理
本案例重點是三個后處理，都在Optical類別，如果用戶是用的Optical光學模板的話，這些后處理是可以自動生成的。
第一個，Convert all 1D Results from Frequency To Wavelength, 將所有的1D結果橫坐標由頻率改為波長。
S參數也符合預期，S21較大，S11很小，傳輸效果好，如下圖：
第二個, Calculate Effective Refractive Index for Waveguide Modes, 計算等效折射率，直接運行，無需設置。
這里可以看到群折射率（4.1左右）比等效折射率（2.3左右）高，說明群速度小于相速度。
這里折射率和群折射率定義如下，也說明了群速度一直小于相速度。這些是我們分析光傳播特性的重要參數，可以影響我們對要不要考慮材料色散和端口色散的決定。
第三個，Calculate Reflectance – Transmittance – Absorbance, 計算反射率、透射率和吸收率，這個也是我們重點關注的結果。
反射率R11= |S11|^2
透射率T21=|S21|^2
吸收率A1=1-|S11|^2-|S21|^2
均可用Mix Template再計算驗證，這里我們只驗證一下反射率：
