CST仿真后散射近場提取案例
由于三維電磁計算的結果都是總場，經常有同學問怎么只看散射場。本案例用光頻的散射結構演示近場的散射場提取，流程和方法也適用于其他頻段。注意這里的散射場指的是近場，遠場的散射場就是RCS farfield，遠場監視器就行，近場散射場需要通過總場減去入射場來提取。
第一部分：建模，提取散射場
Step 1. 使用模板，建模
打一個平面波上去作為激勵：
以某一個頻率為例：
Step 2, 重點，不可以使用自適應網格，因為要保證總場和入射場兩個仿真任務網格完全一致：
Step 3. 重點，運行宏create material-independent mesh group, 并把所有結構加進這個group里面。目的也是為了保證網格一樣，還可以手動加密網格。
Step 4, 利用SAM流程，建立兩個子項目：
第一個入射場任務，將所有結構設為真空材料，計算結果便是入射場。第二個任務是原任務設置。
Step 5. 更新兩個子任務，拿到結果
Step 6. 任意子任務中，運行后處理導入另一個子任務的場（m3t文件），然后點擊Evaluate進行后處理運算。
Step 7. 將兩個場數據相減，注意順序，總場減入射場：
這里截圖是在總場子任務中導入的入射場電場。
總場：
入射場：
散射場：
第二部分：計算散射功率場，散射功率
Step 1. 仿照第一部分，同理可獲得散射磁場。略。
Step 2. 把電磁場相乘，獲得散射功率場。這里注意電磁場的公式（復數）和結果單位是dynamic powerflow
散射功率場：
這里面我們將散射功率場的命名加個后綴，比如[test]：
這個后綴有利于接下來計算散射功率。
Step 3. 利用結構設置一個全包裹的面，叫face1：
這個面有利于接下來計算散射功率。
Step 4. 用后處理Broadband Powerflow Integration, 選擇功率后綴名和面，Evaluate之后便得到結果。
這里的功率公式沒有放0.5，所以2.56e-16W是峰值功率，不是平均功率。
如果我們加個遠場監視器，然后通過遠場后處理提取散射功率，可發現是0.5倍的關系，驗證了上述步驟的準確性：
當然，還有一個后處理也可以直接做場積分，同樣可以驗證計算準確性：
第三部分：散射截面
散射截面Scattering cross section是散射功率于入射輻照的比。
一般定義了平面波激勵，結果就直接給出了：
可以用遠場后處理提取驗證：
當然還可以用平面波入射輻照公式手動驗證：
平面波Einc是1V/m，所以公式是：
A是第二部分算的散射功率（峰值）。
總結
1. 提取散射場需要總場減入射場，用后處理導入場數據。如需大量頻點操作，可以利用VBA。
2. 頻域求解器保證網格一致，一是不能用自適應，二是要macro生成特殊的mesh group。
3. 散射功率有三種方法計算和驗證：近場自動積分，近場手動積分，遠場后處理。
4. 散射截面也有三種方法計算和驗證：模板直接獲得，遠場后處理，手動公式。其中手動公式法還可基于近場散射功率的三個不同方法獲得的結果：
