電磁兼容社招試題
一. 名詞解釋：（總分4分，每小題2分）
20H原則：
屏蔽效能：
二. 單項(xiàng)選擇：（總分30分，每小題1分）
1.貼片電容的阻抗特性為：（ ）
2. 假如有兩個(gè)上升沿時(shí)間分別為、的時(shí)鐘信號，如果對應(yīng)的時(shí)鐘信號輻射帶寬更大，則（ ）：
3. 信息技術(shù)電磁騷擾要求和測量方法對應(yīng)的國標(biāo)是（ ）：
A．GB/T9254 B．GB4943
C．GB/T17626 D．GB/T17618
4. 如果要降低單個(gè)電容諧振頻點(diǎn)的阻抗，可以采取（ ）：
A．兩個(gè)相同容值電容并聯(lián)
B．兩個(gè)相同容值電容串聯(lián)
C．兩個(gè)不同容值電容串聯(lián)
D．兩個(gè)不同容值電容并聯(lián)
5. 關(guān)于峰值檢波、準(zhǔn)峰值檢波、平均值檢波，測量時(shí)間最短的是（ ）：
A．峰值檢波 B．準(zhǔn)峰值檢波
C．平均值檢波 D．三種檢波方式測量時(shí)間一樣
6. 浪涌標(biāo)準(zhǔn)測試波形8/20us的8us指的是（ ）：
A．波前時(shí)間 B．半峰值時(shí)間
C．信號周期 D．持續(xù)時(shí)間
7. 關(guān)于連接器選型，下面說法不正確的是（ ）：
A．理想情況下，每個(gè)信號針都有相應(yīng)的地針
B．關(guān)鍵信號針要通過地針與其它信號針隔離
C．信號針、電源針、地針的位置與數(shù)量，與輻射無關(guān)
D．推薦使用地針與信號針交錯(cuò)排列的連接器
8. 濾波器是常用的電磁干擾抑制元件，若用ZS表示源阻抗，ZL表示負(fù)載阻抗，T形濾波器適合于哪種類型電路？（ ）：
A． ZS低，ZL低 B．ZS高，ZL低
C． ZS低，ZL高 D．ZS高，ZL高
9. 以下器件正下方表層可以布線的是（ ）：
A．隔離變壓器、光電耦合器
B．晶體、晶振、時(shí)鐘芯片
C．模擬芯片、大規(guī)?？删幊涕T陣列
D．以上全部錯(cuò)誤
10. 3W原則指的是（ ）：
A．相臨導(dǎo)線中心距離滿足3倍線寬
B．導(dǎo)線到板邊的距離滿足3倍線寬
C．電源線寬度為信號線寬度的3倍
D．電源線寬度為地線寬度的3倍
11. 關(guān)于去耦合電容，選擇不正確的描述（ ）：
A．抑制邏輯器件切換產(chǎn)生的射頻能量
B．值越大，濾除射頻能量的效果越好
C．盡量靠近芯片的電源引腳
D．為器件提供局部化的DC電壓源
12. 關(guān)于瞬態(tài)抑制二極管（TVS）的箝位電壓與被保護(hù)器件的最大耐壓，下面說法正確的是（ ）。
A．箝位電壓大于被保護(hù)器件的最大耐壓
B．箝位電壓小于被保護(hù)器件的最大耐壓
C．箝位電壓等于被保護(hù)器件的最大耐壓
D．以上說法都不正確
13. I/O電纜電磁干擾濾波時(shí)，選擇磁環(huán)時(shí)首要考慮的參數(shù)是（ ）：
A．磁導(dǎo)率 B．體積大小
C．100MHz時(shí)的阻抗值 D．抑制頻段
14. 關(guān)于差分對線路，下面說法不正確的是（ ）：
A．同層 B．相鄰平行 C．等長 D．增大兩根線之間的間距
15. 鐵氧體磁珠可以等效為（ ）：
A．電感 B．電阻
C．電容 D．電感與電阻并聯(lián)
16. 對于IC電源的濾波，下面做法正確的是（ ）：
17. 下列關(guān)于SMT（表面貼裝）元件說法不正確的是（ ）：
A．使用SMT元件，可減小去耦電容的環(huán)路面積
B．SMT元件的性能優(yōu)于DIP元件
C．與通孔元件相比，SMT元件上管腳到PCB走線的引線電感較小
D．SMT元件沒有DIP元件電磁兼容特性好
18. 源阻抗為，傳輸線的特性阻抗為，則源端串聯(lián)匹配電阻R=（ ）
19. 關(guān)于多層印制電路板，下面說法不正確的是（ ）：
A．有利于降低電磁干擾
B．電源層與地層的板間電容有去耦合特性
C．相同大小的電源層和地層電磁兼容特性最好
D．電源層和地層可以為信號電流提供回流路徑
20. 請選擇正確的描述（ ）：
A．非平衡電路不產(chǎn)生共模噪聲
B．平衡電路不產(chǎn)生共模噪聲
C．閉合回路都會(huì)產(chǎn)生共模噪聲
D．都不正確
21. 實(shí)際使用Y電容時(shí)考慮到漏電安全問題，因此比較注重的是（ ）：
A．耐壓等級 B．絕緣等級
C．差模干擾 D．共模干擾
22. 接收機(jī)在物理結(jié)構(gòu)上與頻譜分析儀相比，接收機(jī)增加了（ ）：
A．衰減器 B．預(yù)選器
C．混頻器 D．陷波器
23. 屏蔽電纜屏蔽層與金屬連接器連接的方式描述正確的是（ ）
A．屏蔽層擰成辮子接金屬連接器殼體
B．屏蔽層擰成辮子連接插針
C．屏蔽層擰成辮子接金屬機(jī)箱
D．屏蔽層與金屬連接器360°連接
24. 在負(fù)載為50Ω兩端，測得電壓為15dBμv，若換算成功率P，應(yīng)為（ ）dBm。
A：-92 B：-93.5 C：93.5 D：45
25. 機(jī)箱開孔時(shí)，同等條件下優(yōu)選（ ）：
A．正方形孔 B．長方形孔
C．六邊形孔 D．圓孔
26. 已知某設(shè)備存在五個(gè)主要電磁干擾源，依次消除五個(gè)干擾源，每消除一個(gè)干擾源后，相對于該干擾源存在時(shí)可獲得的改善量依次為：(1)6dB、(2)8dB、(3)12dB、(4)14dB、(5)25dB。現(xiàn)在需要將該設(shè)備的干擾降低37dB，則合適的解決辦法是（ ）：
A：(1)+(2)+(3)+(4) B：(3)+(5)
C：(4)+(5) D：(1)+(2)+(5)
27. 關(guān)于過孔，以下說法不正確的是（ ）：
A．時(shí)鐘線上避免打過孔
B．高頻時(shí)過孔有寄生特性
C．過孔應(yīng)盡量長而細(xì)
D．穿越地層的過孔不能太密集
28. 在4層PCB設(shè)計(jì)中，最優(yōu)的分層設(shè)計(jì)方案是（ ）：
A．TOP-PWR-PWR-BOT
B．TOP-GND-PWR-BOT
C．TOP-SIG-PWR-GND
D．SIG-GND-SIG-GND
29. 在下列電容中，（ ）的高頻特性最好：
A．貼裝電容 B．穿心電容
C．三端電容 D．陶瓷電容
30. 半電波暗室的場地均勻性指標(biāo)是為考察產(chǎn)品實(shí)際測試的（ ）：
A．輻射騷擾測試 B．輻射抗擾測試
C．傳導(dǎo)騷擾測試 D．傳導(dǎo)抗擾測試
三．混選題（總分20分，每小題2分）
1. 元件封裝EMC設(shè)計(jì)應(yīng)考慮以下哪些原則（ ）：
A．優(yōu)先選擇帶IC插座的器件
B．優(yōu)先選擇電源和接地管腳位于封裝中央且相對分布的器件，使得器件電源管腳與接地管腳間形成的環(huán)路面積最小
C．選用電源和地管腳成對分配且相鄰分布的邏輯器件，將降低電源和地之間的環(huán)路電感，有助于減少電源總線上的電壓瞬變
D．優(yōu)先選擇信號返回管腳與信號管腳均勻分布以及為時(shí)鐘等關(guān)鍵信號線配置了專門的信號返回管腳的器件
2. 某設(shè)備有兩個(gè)輻射頻點(diǎn)超標(biāo)，一個(gè)是40MHz,另一個(gè)為900MHz。經(jīng)檢查，確定是電纜的共模輻射所致。在電纜上套一個(gè)磁環(huán)（1/2匝），900MHz的干擾明顯減小，不再超標(biāo)，但是40MHz頻率仍然超標(biāo)。將電纜在磁環(huán)上繞3匝，40MHz干擾減小，不再超標(biāo)，但900MHz超標(biāo)，如何解決（ ）。
A．使用兩個(gè)磁環(huán)直接穿過電纜
B．使用兩個(gè)磁環(huán)并在電纜上各繞3匝
C．使用兩個(gè)磁環(huán)，其中一個(gè)磁環(huán)線纜直接穿過濾除40MHz干擾頻點(diǎn)，另一個(gè)磁環(huán)線纜繞3匝濾除900MHz干擾頻點(diǎn)
D．使用兩個(gè)磁環(huán)，其中一個(gè)磁環(huán)線纜直接穿過濾除900MHz干擾頻點(diǎn)，另一個(gè)磁環(huán)線纜繞3匝濾除40MHz干擾頻點(diǎn)
3. 單板的層設(shè)置應(yīng)該遵循以下哪些原則（ ）：
A．器件面下面（第二層或倒數(shù)第二層）有相對完整的地平面
B．主電源（功率消耗最大的電源）有一相鄰地平面
C．盡量避免兩信號層直接相鄰
D．所有信號層盡可能與地平面相鄰
E．高頻、高速、時(shí)鐘等關(guān)鍵信號布線層要有一相鄰地平面
4. 要提高屏蔽體對低頻磁場的屏蔽效能，應(yīng)采取（ ）：
A．屏蔽體選用坡莫合金或硅鋼材料
B．增加屏蔽體厚度
C．低頻磁場源遠(yuǎn)離結(jié)構(gòu)孔縫
D．利用高磁導(dǎo)率材料增加渦流損耗
5. 影響電容高頻濾波效果的因素有（ ）：
A．引腳電感
B．過孔
C．封裝
D．器件與電容間的引線電感
E．以上說法都不正確
6. 以下關(guān)于模塊布局說法正確的有（ ）：
A．依據(jù)信號流向?qū)φ麄€(gè)電路模塊進(jìn)行劃分
B．按照信號類型可以分為數(shù)字電路和模擬電路
C．依據(jù)功能進(jìn)行劃分，比如說時(shí)鐘電路、放大電路、驅(qū)動(dòng)電路、A/D與D/A轉(zhuǎn)換電路、I/O電路、開關(guān)電源、濾波電路等等
D．?dāng)?shù)模轉(zhuǎn)換器件可以布置在數(shù)字區(qū)域，也可以布置在模擬區(qū)域
E．按照信號的工作頻率可將電路模塊劃分為高頻、中頻和低頻電路
7. 電感和磁珠的區(qū)別包括( ) ：
A．單位不一樣，電感單位為亨，磁珠單位是歐姆
B．電感是儲(chǔ)能型器件，而磁珠是消耗型器件
C．電感常用于電源濾波，側(cè)重抑制傳導(dǎo)性干擾；磁珠多用于信號回路，主要用于EMI方面
D．電感主要用于LC振蕩電路、低頻濾波電路，磁珠用來吸收高頻信號
8. 對于表層走線（微帶線）與內(nèi)層走線（帶狀線），以下說法正確的是（ ）：
A．微帶線位于表層，可直接對外輻射，帶狀線位于內(nèi)層，有參考平面屏蔽
B．一般來說，表層走線宜布置重要性相對較低的走線
C．強(qiáng)干擾或高敏感度的信號線通常布置在中間層
D．高頻、高速、時(shí)鐘線通常布置在中間層
E．小、弱信號以及對外界干擾非常敏感的復(fù)位信號等的走線通常布置在中間層
9. 關(guān)于跨槽布線，以下說法正確的是（ ）：
A．增大電流環(huán)路面積，增大了環(huán)路電感，影響信號質(zhì)量
B．增加向空間的輻射干擾，同時(shí)易受空間磁場的影響
C．不會(huì)增大電磁干擾
D．增加與板上其它電路發(fā)生磁場耦合的可能性
E．環(huán)路電感上的高頻壓降形成共模輻射源，并通過外接電纜產(chǎn)生共模輻射
10. 要達(dá)到理想的屏蔽效果，關(guān)于板級屏蔽以下說法正確的是（ ）：
A．以印制板一塊完整的地層作為屏蔽體的一個(gè)面
B．在五面體的屏蔽盒與PCB連接的部位設(shè)置隔離地線
C．正方體的屏蔽盒效果最好
D．PCB與屏蔽盒焊接的隔離地線上禁止有綠油
E．隔離地線要打過孔連接到地層，過孔的間距要小于λ/20
四. 判斷：（總分10分，每小題1分）
1.實(shí)際電感等效模型為電感、電阻、電容的串聯(lián)。（ ）
2. 散熱器接地與否與電磁輻射沒有關(guān)系。（ ）
3. 電源平面與地平面構(gòu)成的板間電容對高頻電磁干擾有很好的抑制效果。（ ）
4. 對于IC電源管腳電容的布置，應(yīng)該使大電容更靠近電源管腳。（ ）
5. 自由空間的波阻抗與場源的距離和特性無關(guān)。（ ）
6. 差模電流比共模電流大，因而差模輻射比共模輻射厲害。（ ）
7. 低頻時(shí)，電流流過電阻最低的路徑，高頻時(shí)，電流流過阻抗最低的路徑。（ ）
8. 當(dāng)上升時(shí)間大于信源到負(fù)載間的傳播時(shí)延時(shí)，布線應(yīng)當(dāng)作傳輸線。（ ）
9. 高頻時(shí)交流電流在導(dǎo)體橫截面上均勻分布。（ ）
10. 一般而言，交流電濾波器可以用在直流的場合，直流電濾波器也可以用在交流的場合。（ ）
五. 填空：（總分10分，每空1分）
1. 已知lg2=0.3，如果A功率比B功率大一倍，則A功率比B功率大 dB。
2. PCB上開槽的產(chǎn)生可以歸納為兩種情況： 形成開槽，另一種是 形成開槽。
3. 要濾除寬帶射頻電流，通常是在緊鄰每一電源管腳的旁邊使用兩個(gè)不同容值的電容并聯(lián)，建議電容值相差兩個(gè)數(shù)量級或 倍。
4. 射頻信號走線有兩種轉(zhuǎn)角方法：切角和 。
5. 金屬板對電磁場的屏蔽效能包含吸收損耗、 、多次反射修正因子。
6. dBm表示相對于 的基準(zhǔn)值，用分貝表示的絕對功率電平。
7. 壓敏電阻（MOV）的動(dòng)作電壓稱為 。
8. 一臺(tái)設(shè)備，原來的電磁輻射發(fā)射強(qiáng)度是300V/m，加上屏蔽箱后，輻射發(fā)射降為3V/m，這個(gè)機(jī)箱的屏蔽效能是 dB。
9. 為了保證低阻抗的連接，搭接條除了盡量保持最短和低電阻之外，其長寬比應(yīng)該小于或等于 。
10. 標(biāo)準(zhǔn)方波信號無 次諧波。
六. 簡答：（總分26分）
1. （8分）簡單描述PCB布線換層時(shí)的各種情況，并從信號回流角度給出相應(yīng)的處理措施。
2. （8分）某一設(shè)備輻射騷擾超標(biāo)，如果機(jī)箱縫隙、開口、顯示屏、按鍵等等都存在電磁泄漏，如果針對某一泄漏源采取措施后沒有改善效果，撤銷對這個(gè)源的措施，接著再對另一個(gè)泄漏源采取措施，如此反復(fù)，這種方法對不對？如果不對，正確的做法是什么？
3. （10分）請列舉一個(gè)自己解決過的印象最深刻的電磁兼容案例，并詳細(xì)說明整個(gè)診斷、整改過程的思路及方法。根據(jù)自身情況發(fā)揮。
