CST MWS左手材料諧振環的問題
我對單個的諧振環進行仿真，應該怎么設置邊界條件和背景材料，激勵端口。
聽到很多人說用PEC+PMC邊界條件，這是什么邊界。
還有就是對使用開環諧振環的波導濾波器，我仿真出來的帶外抑制一點也不陡峭，然后去掉諧振環再仿真，還是一樣的，
上面的是資料，下面是我的模型和仿真結果
使用的邊界條件是open add背景材料是PEC,PTC
然后，去掉諧振環以后，還是那樣的結果
附帶原圖的資料
對于左手材料單元的仿真，PMLPEC邊界設置要根據你的入射場方向確定，上傳一篇文章估計本本站已經有的，，里面有一些說明，，你看看可以答案
那篇文章太大 傳不了，，給你下載地址，，題目是富有希望的超材料http://rf.eefocus.com/bbs/article_407_541581.html
一般來說左手材料都是由一系列周期性基本單元構成，單仿真一個基本單元貌似不行。就像要D.R.Smith實現左手材料的微波段的負折射率特性也是使用一系列的周期性諧振環和金屬線組合的。建議你邊界條件XY方向使用unit cell，Z方向open。使用頻域求解器試試。
謝謝，但是我照你提供的邊界條件仿真之后
顯示錯誤：the floquet port boundary at Zmin is not homogeneously filled or contains dispersive materials.
the floquet port boundary at Zmax is not homogeneously filled or contains dispersive materials.
有沒有一個完整的諧振環的仿真文件，想參考一下，我做一個帶諧振環的平面波導濾波器，弄了就久，只有濾波器的濾波效果，諧振環的陡峭的帶外抑制一直沒看見
你在background material 把類型設置為normal，lower Z distance和upper Z distance 分別設置適當的數值就行了。
改過了，還是沒用，用open add 倒是可以仿真，但是和文獻的上結果有很大差距
把你的模型共享下。
這個是所做的兩個模型，原文獻在一樓
