疑問(wèn)CST MWS中做PCB輻射仿真
各位高手，有個(gè)仿真疑惑急于求教。要做一塊PCB的EMI輻射仿真，PCB上有8顆相同的驅(qū)動(dòng)芯片（目前沒(méi)有IBIS模型），現(xiàn)我將PCB導(dǎo)入到MWS里，將其中一顆芯片的一個(gè)輸出引腳端加waveport，并測(cè)得管腳輸出電流波形導(dǎo)入到MWS中作為激勵(lì)源，由芯片最后一級(jí)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)動(dòng)作引入了同步開(kāi)關(guān)噪聲（SSN) 導(dǎo)致輸出電流波形也存在擾動(dòng)，現(xiàn)在是希望仿真得到由于同步開(kāi)關(guān)噪聲的存在對(duì)于正版PCB來(lái)說(shuō)能夠引起多大的EMI。
問(wèn)題1：以這樣的思路做輻射仿真，不知道對(duì)不對(duì)?還是CST必須要求輻射仿真一定要先在PCB studio中得到表面電流文件
問(wèn)題2：在實(shí)際測(cè)試中，我用近場(chǎng)磁場(chǎng)探頭得到芯片的近場(chǎng)磁場(chǎng)頻譜，對(duì)于近場(chǎng)仿真，在CST中是不是也能建立仿真使結(jié)果與近場(chǎng)測(cè)試相對(duì)應(yīng)?
問(wèn)題3：DS中的電容是無(wú)法設(shè)定初始電壓值嗎?
謝謝！如需我提供模型和波形，隨時(shí)上傳。
1、兩種方法均可，不過(guò)建議你的情況使用離散端口，而不是波導(dǎo)端口，不過(guò)還不是特別清楚你的激勵(lì)是什么樣的，最好有圖；
2、可以，在相應(yīng)位置放置探針即可；
3、不能，但如果你要實(shí)現(xiàn)也是可以的，看你要什么樣子的
謝謝你的回答。
我使用的激勵(lì)是測(cè)試得到的這個(gè)芯片引腳的輸出電流波形，如下圖：
疑問(wèn)：
1. 使用離散端口可以設(shè)置激勵(lì)為測(cè)試波形嗎?
2. 在這種仿真方式導(dǎo)入PCB過(guò)程中，是否一定需要同時(shí)導(dǎo)入層疊文件?見(jiàn)CST PCB Import窗口的Stackup, Parts Editor
3. 近場(chǎng)測(cè)試圖示如下圖所示，
4. 在DS中搭建原理圖時(shí)，電路工作開(kāi)始時(shí)刻電容有初始電壓，應(yīng)該如何設(shè)置?
對(duì)于第一個(gè)問(wèn)題，可以把你測(cè)得的波形轉(zhuǎn)換成txt數(shù)據(jù)形式導(dǎo)入到MWS中作為激勵(lì)源。
有個(gè)疑問(wèn)，CST是一定要在DS里得到輻射源作為激勵(lì)再把PCB導(dǎo)入MWS進(jìn)行仿真嗎?我的電路級(jí)仿真是在Saber中做的，仿真波形導(dǎo)入CST MWS中做激勵(lì)源，然后再導(dǎo)入三維PCB模型，直接進(jìn)行輻射仿真，請(qǐng)問(wèn)各位這樣做正確嗎?
應(yīng)該是可以的，激勵(lì)源的波形可以在其他軟件中得到
導(dǎo)入的波形文件和DS得到的波形分別作為激勵(lì)源，模型和其他條件相同，仿真結(jié)果偏差不大吧?有沒(méi)有高手做過(guò)這個(gè)比較
謝謝
