CST如何外加電壓？

大神們！我我做的是超材料，我想在底層和頂層金屬板上外加電壓，看看對S參數的變化，請問應該如何操作，我之前也看了聯合仿真，但是仿出來一直不對，請賜教！

加類似于這樣的電壓！
請賜教！
感激不盡！

我沒做過，但你可以試一試。

這種電壓型離散端口能直接得到S參數嗎？得用Design Studio吧？

可以，但是...得用（偷雞模式）。
得利用另兩個端口（離散或是波導-需要和實際電路一般使用："直流隔離電容"），因為樓主只是想知道那兩層被施加電壓后，信道 In/out 之間的sparameter變化！
而你所說的這種我昨天已經告訴他了！不知他為何又再提？看他這么堅持....所以我就給了他另一個途徑。呵呵～～
我昨天給它的是sparameter -> narrow band spice model (circuits synthesize) -> schematic simulation add Voltage -> sparameter。（這個作法跟ADS比較搭）
** 可能是因為我給的不是（直接解答），但是...我一般也是不會這么做的，我導引提問者自己去"動手做、動腦想"，這才是我想要的。
不然，最終極的手法就是：能取得SiO2 Vs Voltage's 的參數組，以變數模式代入SiO2 layer。這樣也成，不是條條大路通羅馬嗎？

謝謝給了這么多方法，我之前用過離散端口（discrete port）施加電壓，出錯了，我再看看你說的（discrete edge port），簡直不能再感謝！

我試過Design Studio，可是沒弄出來，繼續琢磨中。
還是感謝大神的關注！

剛看了，discrete port打開之后就是discrete edge port
然后出錯了。

Graphene-supported tunable near-IR metamaterials.pdf
這是參考文獻，大家需要的可以看一下。