CST MWS中半導體材料的復介電常數是如何得到的？

建模中，半導體材料層的要設置介電常數，一般有實部和虛部，請問這個復介電常數的值是怎么得來的，是直接就有的還是說有什么計算公式，例如知道了它 的相對介電常數，那么可以間接求出復介電常數嗎》比如GaAs的復介電常數是多少

半導體的介電常數跟頻率，組成，摻雜濃度，溫度都有關系，這個有公式的。看你那個模型具體的情況，影響它的那些是主要因素，一般是摻雜濃度和頻率。相對介電常數乘以真空介電常數是復介電常數。物質的介電常數都可以看成復數，只不過有些物質的虛部很小，在某些情況下忽略了。不要把相對介電常數和復介電常數搞混了。

贊同一樓的觀點。不過我覺得相對介電常數是指某一種介質的介電常數與另一介質的介電常數之比，不一定總是和真空比吧？

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定義就是和真空之比

請隨便找本書看下定義，確實是跟真空的比。