CST建立新材料如何設置elsilon和mue
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更新時間：2024-07-31
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本人想做個簡單的涂覆材料仿真，典型RAM的電磁參數中epsilon和mue是復數，而CST材料設置中的epsilon和mue似乎都沒有虛數部分，請問有沒有做過類似的仿真呢，這部分材料的設置要怎么設才合理？
如果你要輸入復數的Permittivity和Permeability，那需要將他們的虛部換算成損耗角（Loss Tangent）。
之后，在材料的Conductivity里面的tangent delta electric和tangent delta magnetic里面填上對應的數值。
如果損耗角隨頻率的變化非常明顯，那你需要設置Dispersion。
十分感謝！
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