CST MS中電流仿真結果的理解。

在CST MS工作室中做電流仿真，計算出的結果 H-field 單位為A/m，我理解H沿著導體橫截面邊界曲線的積分就是通過此截面的電流。但如果給一個金屬平板的一邊注入電流，另一邊接地，在平板上中心挖空一塊補上絕緣材料，在平板上方及絕緣材料上設置監測點，按道理這些位置應該沒有電流才對，但仿真結果是這些位置都有不小的H值，這該怎么理解呢？

在space domain的結果中，絕緣材料部分是不可見的，應該也就是沒有電流，那么這些位置的H值該理解為磁場嗎？

1，傳導電流應該是在導體上存在，而位移電流可以在絕緣材料中存在
2，H在哪都是理解為磁場強度

才看到，謝謝！