為何近場增益如此之高？？？

我做的是平面螺旋電感的仿真，方形總共6圈，選用Driven modal模式，則其LumpPort默認輸入功率1W，以小環天線理論分析，其近場輻射應該為零，但沒想到仿真結果其增益如此之大，請教下老手，問題出在哪里？？

對了，中心頻率為50MHz，線寬0.4mm，線間距也為0.4mm

最好能把模型傳上來，結果圖對分析問題幫助有限

已經上傳了。都在壓縮包里

不知道你的近場增益的定義是從何而來？
據本人的理解，天線中沒有近場增益的概念，增益的定義是在相同輸入功率條件下目標天線與參考天線（全向天線或者理想偶極子）輻射遠場的比值，與距離無關，僅與方向有關，因為遠場是exp(jkr)/r規律變化；而近場由于隨距離變化不是那么簡單，還含有1/r^2高次因子，按照增益定義得到的是一個與距離有關的量，因此沒有實際意義。
一句話，你畫的所謂近場增益只是近場（HFSS給出的是絕對近場），就是給定入射功率情況下的近場分布。從你給的結果來看，在60v/m左右，我認為這是合理的數量級。具體大小取決于端口匹配、所求近場點的位置。你采用的是lumped端口，50歐？能確認端口匹配良好嗎？也會影響nearE的具體大小。
這個結論成立嗎？你有充分的證據嗎？
根據電偶極子的近場表達式（參考天線理論與設計，第二版，Warren L Stutzman，朱守正等譯，p20， 1－71a/b式）：

（小環天線（磁偶極子）互易定理，電磁場互調）。可以看出僅在軸線上（theta=0、pi），磁偶極子的電場為零（a式），在其他方向上不為零。
按照上述公式，確實在軸向上E應該＝0。這個問題確實值得探討。
我認為非零值的產生可能是對于平面螺旋天線，不能等效為理想小環天線，比如附加結構（如地板、饋電結構）在軸向上產生了非零分量。60v/m左右是不是偏大？可以與理想偶極子輻射場比較一下。

另外，你的壓縮包里并沒有模型文件，只有圖，大家為了這個問題專門去建一個模型很麻煩。方便的話可以將工程文件上傳，這樣可以更快的找到問題。呵呵

謝謝版主的指點下次會把工程文件傳上去

斑竹說遠場是 exp(jwr)/r 怎么理解斑竹說的遠場與距離無關？
hfss中是rE 就是用距離乘以E 這樣就去掉了距離的影響

平面螺旋電感 從天線角度看 應該屬于電小天線 這樣輻射就很小了 可忽略了 否則就成平面螺旋天線了


謹供參考