關于PML層的設置問題
我現在正在求一個有關周期結構的問題.要設置PML層,請問設置PML層是點擊Boundaries--PML Setup Wizard,又請問設置的時候PML層的厚度多少合適,有個什么厚度依據嗎？,還有,其中的Basse Face Radiation Properties中的三個選項Radiating Only
Incident Field
Reference for Frequency-Selective Surface(FSS)
三個選項各在什么情況下使用.
Radiating Only 是定義的PML 層只作為吸收邊界使用。
Incident/Enforced Field 是在引入場時作為目標邊界使用。
Reference for Frequency-Selective Surface(FSS) 是在吸收邊界面上求解S參數。
另：在做近場引入時，設定為Enforced Field 。那是不是遠場引入時設定為Incident Field ？只是猜想的，因為只做過近場引入，也沒用過Incident Field的設置，還請達人幫忙解釋一下？
請問設置PML層是點擊Boundaries--PML Setup Wizard
請問設置PML層是點擊Boundaries--PML Setup Wizard？
回答是的.
我還另外想問大家 flyrock:提到:"Reference for Frequency-Selective Surface(FSS) 是在吸收邊界面上求解S參數"
怎么設置才能的到S？
我簡單做了個模型放在波導里,一個端口施加波端口激勵，另外一個端口置吸收邊界PML(FSS),出現錯誤提示:
Ports are incompatible with using a Radiation surfaces as an FSS reference.
You have indicated that a Radiation surface is an FSS reference,but there is no Master/Slave boundary pair defined.
根據提示,是不是斷口處不能直接加PML(FSS),還需要設置Master/Slave 邊界？要加Master/Slave 邊界是不是要在波導斷口和PML之間加上空氣盒來設置的呀？
吸收邊界的S參數求解一般是以其他激勵方式相配合使用的，最常用的是平面波激勵。目的就是在非波導模型中求出類似反射率這樣的參數。如果定義波導端口激勵，還定義FSS，那就失去意義了，因為波導端口本身就能提供S參數。
另：用FSS求得的S參數只有模值，是個實數。
".......引入場時作為目標邊界使用"不懂,引入什么"場","目標邊界"怎么理解呢？
".......在吸收邊界面上求解S參數。"大家有具體的實例么？
難道沒人知道如何設置PML層的厚度嗎？不可能是沒有規定的而任意厚度的,請達人指點.
1、引入場是在10.0版本以后在incident wave 里面加入的新的激勵源，包括far field wave和near field wave。簡單的說就是把已有的場分布（比如已有的天線仿真結果）引入到新project當中，這樣對于復雜模型可以大大減小仿真的負擔。在引入的時候需要指定一個源（source design ）和一個目標（target design ），如果源和目標的位置不同，可以通過旋轉和平移來調整（但是據我所作的仿真結果來看，這種坐標變換會給結果帶來不可預知的誤差，最好的解決辦法是不進行左邊變換，即把把源和目標建立在相同位置，懷疑是系統的bug），對于具體設置在HFSS的幫助文件中有些比較詳細的說明。
2、用吸收邊界上求解S參數，在幫助文獻中并沒有提到一定要和M/S邊界配合使用，不過像樓主所說，不加M/S邊界會出現錯誤提示，我想到的例子是通過M/S邊界計算無限大平板型材料（或材料陣列）的反射系數或投射系數，因為這樣的問題一般都是用平面波激勵的。我曾用這種方式求過吸波材料陣列的反射率。
PML的厚度，我一般都是用默認的，從理論上，反射率應該是隨著厚度的增加而降低的，但隨之會帶來更大的運算量。
pml不是完美匹配層嗎？看來也不是那么完美。還與它的厚度有關嗎？不明白
不知道這個層里的場是怎么樣的，它到底起什么作用。
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