平面反射陣單元仿真

我建模一個(gè)微帶平板反射陣的單元，利用波導(dǎo)模擬器法模擬無限周期結(jié)構(gòu)（空氣盒左右壁為PEC，前后壁為PMC，在空氣盒上端采用波端口模擬平面波照射，Deembed到貼片處，如第一個(gè)圖所示），我想觀察隨微帶貼片尺寸L變化的S11相移曲線，但是發(fā)現(xiàn)曲線會(huì)有抖動(dòng)，不光滑，于是改變空氣盒的高度（波端口的位置），如第二個(gè)圖所示，相移曲線隨空氣盒高度有些變化。現(xiàn)在很不明白，這個(gè)相移曲線為什么會(huì)與波端口位置有關(guān)？想請(qǐng)問這種情況，空氣盒應(yīng)該設(shè)為多高呢？急求解答，萬分感謝！ 

描述:單元模型，采用波端口激勵(lì)

圖片:1.jpg

描述:隨貼片尺寸變化的S11相移曲線

圖片:QQ截圖20130505201427.jpg

 

網(wǎng)友回復(fù):

如果硬件條件允許 把空氣腔高度調(diào)高一點(diǎn)；我用的是比較暴力的3倍波長(zhǎng)。。 

網(wǎng)友回復(fù):

 
嗯，我試一下，請(qǐng)問一下，為什么會(huì)與空氣高度有關(guān)呢？

網(wǎng)友回復(fù):

最初的HFSS10左右的時(shí)候要在頂上加PML層。足夠大的空氣腔高度是要滿足遠(yuǎn)場(chǎng)環(huán)境。

網(wǎng)友回復(fù):

 
特別感謝，確實(shí)是要加高空氣腔高度。嗯~在頂上加PML層不是另一種模擬無限周期結(jié)構(gòu)的方法——主從邊界法嗎？不限于hfss版本吧？

網(wǎng)友回復(fù):

我一直用的是Floquet port+ Master/Slave boundaries。在沒有這個(gè)之前，PEC+PMC boundaries+Waveport/Plane Wave+PML是常用的仿真方法哈。

網(wǎng)友回復(fù):

看了效果不錯(cuò)

網(wǎng)友回復(fù):

kankan.....

網(wǎng)友回復(fù):

沒放過這個(gè)，不過看見了就瀏覽下

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